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 巴斯夫全球电子材料业务部研发部门创造出一种先进的电镀铜化学品，可满足现今及未来芯片科技的需求。新型的电镀化学品已经克服了在电镀铜方面的主要挑战。

　　实现无缺陷的电导线功沉积是成沉积铜工艺最关键的条件。在电镀铜沉积工艺中，传统的等向性充填(conformalfill)会在形体的上、下、外围产生同样的铜沉积率，形成接缝及缺陷。通过采用巴斯夫的化学品可以实现快速的充填，一般称为“超填孔(superfill)”，可以将铜快速的充填至细小的通孔及沟槽，制造出无缺陷的铜导线。通过超填充的方式，底部的铜沉积率会比顶部及外围更高。

　　铜导线可显著改善芯片效能，这种高传导性金属的沉积是建构多层互连结构的关键性工艺。时下最先进的芯片技术被称为32纳米技术节点，而下一代的22纳米技术预期将于2011年推出。当芯片尺寸越来越小，互连结构日趋复杂，要制造出高性能的芯片就更需要专门的化学知识。同时，纯熟完善的化学工艺解决方案也是必不可少的。

　　巴斯夫的电镀铜化学品朝着制造更小、更快、更可靠芯片的目标又迈进了一步。